[发明专利]薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板表面的栅极电极、层叠设置在所述栅极电极上的栅极保护层和半导体层、设于所述半导体层表面的刻蚀阻止层、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述刻蚀阻止层的两侧。所述薄膜晶体管还包括遮光层、绝缘介质层和像素电极，所述遮光层层叠设于所述刻蚀阻止层上方，以防止光照射至所述半导体层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层，像素电极设于绝缘介质层表面，且电连接至漏极金属。本发明能够避免光照射至半导体层，从而避免了由于光照的原因导致薄膜晶体管阀值波动，提高液晶面板的可靠性。本发明还提供一种显示装置和一种薄膜晶体管的制造方法。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括：提供基板，并在所述基板上沉积栅极电极；在所述基板的设有所述栅极电极的表面沉积栅极保护层；在所述栅极保护层表面制作半导体层；在所述半导体层表面沉积刻蚀阻止层；在所述刻蚀阻止层表面制作遮光层，其中，所述遮光层为黑色负性光阻，通过对所述遮光层进行光刻工艺，在同道光刻工艺制程中实现所述刻蚀阻止层图形和所述遮光层图形的制作，所述光刻工艺为半色调或灰度的光刻工艺的掩膜设计，能够调整所述遮光层的厚度；沉积源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述半导体层表面，且分别位于所述刻蚀阻止层的两侧；沉积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层；及制作像素电极，所述像素电极设于所述绝缘介质层表面，且电连接至所述漏极金属。