[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410683554.6 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104393168A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维电子气(2-DEG)的霍尔元件及其制备方法，所述霍尔元件结构包括以外延方式倒装生长的铟镓砷（InxGa1-xAs）沟道层，铝镓砷（AlxGa1-xAs）空间隔离层以及铝镓砷（AlxGa1-xAs）势垒层。所述制备方法包括步骤：在一砷化镓(GaAs)衬底上生长牺牲层；在牺牲层上通过倒装方式依次生长的平面型掺杂（δ-掺杂）铝镓砷势垒层、本征铝镓砷空间隔离层以及本征铟镓砷沟道层；通过衬底剥离技术，将外延功能层与衬底分离，并粘附于一支撑衬底上；在铝镓砷势垒层上制备金属电极、进行台面刻蚀、钝化工艺，划片封装获得目标霍尔元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种霍尔元件的结构，其特征在于：包括以外延方式依次倒装生长的铝镓砷势垒层、铝镓砷空间隔离层和铟镓砷沟道层；霍尔元件组装在非晶衬底上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矩阵光电有限公司，未经苏州矩阵光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410683554.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
