[发明专利]类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管在审
| 申请号： | 201410684526.6 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465796A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，第一金属电极组件上的第一金属电极层通过金属空气桥与第一二极管组件上的第二肖特基接触金属层连接，第一二极管组件上的第二金属电极层与第二金属电极组件上的第一肖特基接触金属层通过金属空气桥连接，第二金属电极组件上的第一金属电极层通过金属空气桥与第二二极管组件上的第二肖特基接触金属层连接，第二二极管组件上的第二金属电极层通过金属空气桥与第一金属电极组件上的第一肖特基接触金属层连接。所述二极管是现有三倍频二极管类型的补充，用作三倍频时，可以有效抑制二次谐波，提升倍频效率。同时，所述二极管采用两管芯先串联再反向并联的形式，可以有效提升二极管的耐功率性能，提高输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 混频 gaas 赫兹 肖特基三 倍频 二极管 | ||
【主权项】：
一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，其特征在于：所述二级管包括位于衬底（1）上的第一金属电极组件（2）、第二金属电极组件（3）、第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5），所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）位于第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）之间，所述第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）从下到上为第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs（7）、第一二氧化硅层（8）和第一金属电极层（9），所述第一金属电极层（9）内嵌于所述第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs层（7）和第一二氧化硅层（8），且第一金属电极层（9）上表面的高度大于第一二氧化硅层（8）上表面的高度，第一肖特基接触金属层（10）内嵌于所述第一二氧化硅层（8），且第一肖特基接触金属层（10）与第一低掺杂GaAs层（7）相接触；所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）从下到上为第二重掺杂GaAs层（11）、第二低掺杂GaAs（12）、第二二氧化硅层（13）和第二金属电极层（14），所述第二金属电极层（14）内嵌于所述第二重掺杂GaAs层（11）、第二低掺杂GaAs层（12）和第二二氧化硅层（13），且第二金属电极层（14）上表面的高度大于第二二氧化硅层（13）上表面的高度，第二肖特基接触金属层（15）内嵌于所述第二二氧化硅层（13），且第二肖特基接触金属层（15）与第二低掺杂GaAs层（12）相接触；所述第一金属电极组件（2）上的第一金属电极层（9）通过金属空气桥（16）与第一二极管组件（4）上的第二肖特基接触金属层（15）连接，所述第一二极管组件（4）上的第二金属电极层（14）与第二金属电极组件（3）上的第一肖特基接触金属层（10）通过金属空气桥（16）连接，所述第二金属电极组件（3）上的第一金属电极层（9）通过金属空气桥（16）与第二二极管组件（5）上的第二肖特基接触金属层（15）连接，所述第二二极管组件（5）上的第二金属电极层（14）通过金属空气桥（16）与第一金属电极组件（2）上的第一肖特基接触金属层（10）连接。
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