[发明专利]一种抗弯曲多模光纤

摘要

本发明涉及一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，α为1.9～2.2，芯层的半径R1为23~27μm，最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层，所述的内包层宽度单边（R2‑R1）为1~3μm，相对折射率差Δ2为‑0.05%~0.1%，所述的下陷包层宽度单边（R3‑R2）为2~5μm，相对折射率差Δ3为‑1%~‑0.3%，所述的芯层为锗氟Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中芯层中心位F掺杂的贡献量ΔF1min小于等于0%，芯层边缘位F掺杂的贡献量ΔF1max大于等于‑0.45%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的材料组成和结构设计合理，具有抗弯曲、高带宽等优点，可广泛用于接入网及小型化光器件中。

主权项

一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，α为1.9～2.2，芯层的半径R1为23~27μm，最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层，所述的内包层单边宽度（R2‑R1）为1~3μm，相对折射率差Δ2为‑0.05%~0.1%，所述的下陷包层单边宽度（R3‑R2）为2~5μm，相对折射率差Δ3为‑0.53%~‑0.3%，所述的芯层为锗氟Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中芯层中心位F掺杂的贡献量ΔF1min小于等于0%，芯层边缘位F掺杂的贡献量ΔF1max大于等于‑0.45%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层；内包层为Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中F掺杂的贡献量ΔF2大于或等于‑0.45%；下陷包层为Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，或纯掺F的二氧化硅玻璃层，其中F掺杂的贡献量ΔF3为‑1%~‑0.3%。