[发明专利]一种用于构建存储阵列的双写口锁存器单元MOS电路在审
| 申请号： | 201410686592.7 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505114A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 胡向东;袁春锋;余翊 | 申请（专利权）人： | 上海高性能集成电路设计中心 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于构建存储阵列的双写口锁存器单元MOS电路，包括数据写入电路和数据读出电路，所述数据写入电路，用于外部数据的写入和存储；所述数据读出电路，用于存储节点数据的读取。本发明使用静态CMOS，无需外围电路完成数据的二写一读功能，避免了因使用标准单元库锁存器单元搭建而造成逻辑量和面积翻倍的问题，也避免了因使用位单元预充、线或等动态读出电路而导致功耗上升，稳定性变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 构建 存储 阵列 双写口锁存器 单元 mos 电路 | ||
【主权项】：
一种用于构建存储阵列的双写口锁存器单元MOS电路，包括数据写入电路和数据读出电路，其特征在于，所述数据写入电路，用于外部数据的写入和存储；所述数据读出电路，用于存储节点数据的读取。
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