[发明专利]改善ESD保护能力的SOI NMOS器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种改善ESD保护能力的SOI NMOS器件及制作方法，通过以器件的漏极区域为注入窗口进行倾斜方向的ESD离子注入，在靠近漏极区域内侧的体区沟道底部局部区域形成ESD离子注入区，并通过所述ESD离子注入区引导ESD触发电流流经体区，以增大电流路径的深度范围和减小触发电压，可提高SOI NMOS器件在ESD来临时的反应速度，实现改善器件的ESD保护能力。

主权项

一种改善ESD保护能力的SOI NMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一SOI衬底，对所述衬底的体区进行阱和沟道的离子注入，并退火；步骤二：在所述体区上方形成栅极氧化层、栅极和侧墙；步骤三：使用光刻胶，将漏极以外的区域进行覆盖；步骤四：以所述漏极区域为注入窗口进行倾斜方向的ESD离子注入，以在靠近所述漏极区域内侧的所述沟道底部局部区域形成ESD离子注入区，并通过所述ESD离子注入区引导ESD触发电流流经体区，以增大电流路径的深度范围和减小触发电压；步骤五：对漏极和源极区域进行LDD和S/D离子注入，并退火，形成漏极和源极。