[发明专利]PMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410686773.X | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104409351B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PMOS晶体管的形成方法，其通过在填充锗硅以形成源漏区之前，先对栅极的侧墙进行碳离子注入和退火工艺，使碳原子与侧墙表面的硅断键相结合，以消除硅断键，从而在后续填充锗硅时，阻止锗原子以及掺杂的硼原子与硅断键相结合，从而抑制栅极侧墙表面锗硅的淀积，改善侧墙缺陷。本发明较佳地还可使注入的碳原子与侧墙表面的氮断键相结合，以消除氮断键。本发明工艺与现有工艺兼容，具有较大应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极结构及栅极结构两侧的源漏区；步骤S02，在所述栅极结构的侧壁上形成侧墙；步骤S03，对所述侧墙表面进行碳离子注入并退火，且碳离子注入时注入倾斜角度为与硅片表面垂直线成22～30度，使得碳离子与侧墙中的断键结合；步骤S04，在所述栅极结构两侧的源漏区形成源漏凹槽；步骤S05，在所述源漏凹槽内填充锗硅以形成锗硅源漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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