[发明专利]半导体装置、其制造方法及其测试方法在审
| 申请号： | 201410687863.0 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752377A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 徐祉泰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 半导体装置包括一个或多个半导体芯片。每个半导体芯片包括形成有穿硅通孔的半导体衬底以及具有形成在半导体衬底的底部上的第一电介质层的底部布线层。第一开口被限定在第一电介质层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 及其 测试 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括一个或多个半导体芯片，其中，每个半导体芯片包括：形成有穿硅通孔的半导体衬底；以及底部布线层，底部布线层具有形成在所述半导体衬底的底部上的第一电介质层，以及其中，第一开口被限定在所述第一电介质层中。
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