[发明专利]高压原位合成多功能晶体生长系统

摘要

本发明公开了一种高压原位合成多功能晶体生长系统，涉及晶体生长装置技术领域。所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包括炉底座、炉腔和炉顶盖，所述晶体生长系统还包括籽晶杆升降机构、挥发性元素放置源升降旋转系统、挥发性元素放置源重量感应器、测温系统、坩埚杆旋转升降机构和炉体升降系统、带刻度的坩埚等系统。在所述系统适用于III-V和II-IV族化合物半导体的合成与晶体生长，尤其适用于含有挥发性元素的二元或者多元熔体的合成及成分的精确控制，可适用于多种不同的晶体生长方法，具有使用方便，控制精确度高的特点。

主权项

一种高压原位合成多功能晶体生长系统，所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包括炉底座（6）、炉腔（7）和炉顶盖（8），其特征在于：所述晶体生长系统还包括籽晶杆升降机构（1）、挥发性元素升降旋转系统（2）、测温系统（3）、坩埚杆旋转升降机构（4）和炉体升降系统（5），所述炉体升降系统（5）中的升降缸一端与炉体支架（9）固定连接，所述升降缸的动力输出端与支撑板（10）固定连接，籽晶杆升降机构立柱（11）固定在支撑板（10）上，所述籽晶杆升降机构（1）通过籽晶杆升降机构立柱（11）进行固定，连接管（12）的一端与支撑板（10）固定连接，连接管（12）的另一端与炉顶盖（8）固定连接并与炉腔（7）相联通，籽晶杆（13）的一端与籽晶杆升降机构（1）的动力输出端连接，籽晶杆（13）的另一端经连接管（12）进入炉腔（7）；所述挥发性元素升降旋转系统（2）和测温系统（3）固定在所述炉顶盖（8）上，挥发性元素升降旋转系统（2）上的挥发性元素放置源（28）位于炉腔（7）内，挥发性元素放置源（28）在所述挥发性元素升降旋转系统（2）的动力作用下可升降和旋运动，所述测温系统（3）的测温部件延伸至炉腔（7）内，并在测温系统动力的作用下可升降运动，用于测量炉腔内不同位置的温度，坩埚杆旋转升降机构（4）固定在炉体支架（9）上，坩埚杆旋转升降机构（4）的动力输出端与坩埚杆（14）的一端固定连接，坩埚杆（14）在坩埚杆旋转升降机构（4）的带动下可升降和旋转运动。