[发明专利]一种掺杂稀土钕配合物的硅基聚合物平面光波导放大器在审
| 申请号： | 201410690158.6 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104345385A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张丹;黄晓亮;李小龙;刘森波;贺珊;王磊 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 刘辉;廉红果 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂稀土钕配合物的硅基聚合物平面光波导放大器，包括硅衬底、下包层和波导芯层，所述下包层设于所述硅衬底的上表面，所述波导芯层设于所述下包层的上表面，所述波导芯层采用掺杂稀土钕配合物的聚合物材料。本发明还公开了一种掺杂稀土钕配合物的硅基聚合物平面光波导放大器的制备方法，其包括旋转涂覆、磁控溅射、光刻显影、反应离子刻蚀等步骤。本发明采用掺杂稀土钕配合物的聚合物材料作为波导芯层材料，波导芯层的折射率改变量大且在一定范围内可调，增益性能好，波导芯层与硅基材料相容性好，容易实现与分束器、光开关等各类硅基光学器件的集成；工艺简单，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 稀土 配合 聚合物 平面 波导 放大器 | ||
【主权项】：
一种掺杂稀土钕配合物的硅基聚合物平面光波导放大器，其特征在于：包括硅衬底、下包层和波导芯层，所述下包层设于所述硅衬底的上表面，所述波导芯层设于所述下包层的上表面，所述波导芯层采用掺杂稀土钕配合物的聚合物材料。
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