[发明专利]一种超薄大尺寸陶瓷基片的烧结工艺

摘要

本发明提供一种超薄大尺寸陶瓷基片的烧结工艺，该工艺步骤如下：将陶瓷生膜带进行冲片得到尺寸大小一致的生膜片，通过在陶瓷生膜片表面涂覆一层隔粘粉，再将膜片堆叠至合适的高度，并用一定重量的氧化锆或氧化铝陶瓷压板压住，采用合适的升降温速率，对生膜片进行两次烧结，可得到平整度良好的超薄大尺寸陶瓷基片。本发明的烧结工艺可解决直径大于30mm、厚度低于0.15mm的陶瓷基片在堆烧过程中极易变形、粘片、易碎、难以分离等问题。

主权项

1.一种超薄大尺寸陶瓷基片的烧结工艺，其特征在于：该烧结工艺包括如下步骤：(1)将陶瓷生膜带进行冲片得到尺寸大小一致的生膜片；(2)在生膜片上撒入隔粘粉，然后进行叠片、压片；所述隔粘粉为氧化锆，平均粒径为1～5μm，均匀涂于生膜片表面；所述隔粘粉与所述生膜片质量比为0.2～4∶100；所述叠片的高度为5～20mm；所述压片是将叠好的生膜片放置于氧化铝基片上，上面用氧化铝或氧化锆陶瓷板压住，所述氧化铝或氧化锆陶瓷压板与生膜片的重量比为10～70∶1；(3)在高温箱式电炉中，对叠好的生膜片进行排胶和烧结；其排胶温度控制在600℃以下，排胶升温速率小于或等于0.5℃/min；所述烧结是：600℃至峰值温度Tmax，烧结升温速率为0.5～3℃/min，其中峰值温度Tmax视陶瓷料而定，峰值温度的保温时间1～5h(4)将第一次烧结成瓷的陶瓷片放在超声波清洗器中，利用超声波分离；(5)对分离的薄陶瓷基片叠片后，进行第二次烧结；(6)将第二次烧结的陶瓷基片放在超声波清洗器中，利用超声波分离。