[发明专利]一种电子束熔炼多晶硅粉体的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201410691629.5 申请日: 2014-11-25
公开(公告)号: CN104402000A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 谭毅;姜大川;石爽;王登科 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李娜;李馨
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种电子束熔炼多晶硅粉体的装置及利用该装置进行多晶硅熔炼的方法,属于电子束熔炼领域。一种电子束熔炼多晶硅粉体的装置,包括熔炼室、电子枪及其真空系统、熔炼室真空系统、坩埚和进料系统,其特征在于:所述进料系统包括加料仓和位于其下的入料仓,所述加料仓和入料仓间通过蝶阀隔离;入料仓底部设有通入熔炼室的入料口,入料口下端连接螺旋加料器;入料口的上方设有料位传感器,所述料位传感器与报警器相连;加料仓的顶端一侧设有加料口。粉体多晶硅的加入,使除磷效率提高30%以上,熔炼时间缩短20%以上,从而降低能耗。
搜索关键词: 一种 电子束 熔炼 多晶 硅粉体 装置 方法
【主权项】:
一种电子束熔炼多晶硅粉体的装置,包括熔炼室、电子枪及其真空系统、熔炼室真空系统、坩埚和进料系统,其特征在于:所述进料系统包括加料仓(2)和位于其下的入料仓(3),所述加料仓(2)和入料仓(3)间通过蝶阀(9)隔离;入料仓(3)底部设有通入熔炼室的入料口(12),入料口(12)下端连接螺旋加料器(6);入料口(12)的上方设有料位传感器(10),所述料位传感器(10)与报警器(11)相连;加料仓(2)的顶端一侧设有加料口(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410691629.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top