[发明专利]形成于晶圆上的修调单元有效
申请号: | 201410691729.8 | 申请日: | 2014-11-25 |
公开(公告)号: | CN104409436A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/525 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种形成于晶圆上的修调单元,其包括:第一垫片;第二垫片;连接于第一垫片和第二垫片之间的熔丝体,所述熔丝体包括与第一垫片相连的第一导引部、与第二垫片相连的第二导引部和连接于第一导引部和第二导引部之间的熔丝部,每个导引部的宽度均由垫片到熔丝部逐渐变窄,而熔丝部的宽度小于等于所述导引部最窄部分的宽度;位于所述熔丝部下方的衬垫结构区,该衬垫结构区包括在晶圆上形成于不同高度的多个层,衬垫结构区的每个层包括有多个间隔的格子区以及填充于格子区之间的绝缘区,衬垫结构区的不同层的格子区的材质不同。该衬垫结构区有助于形成阻挡层于衬底和修调单元的熔丝部之间,这样可以防止修调单元与晶圆的衬底短路,提高芯片的良率。 | ||
搜索关键词: | 形成 晶圆上 单元 | ||
【主权项】:
一种形成于晶圆上的修调单元,其特征在于,其包括:第一垫片;第二垫片;连接于第一垫片和第二垫片之间的熔丝体,所述熔丝体包括与第一垫片相连的第一导引部、与第二垫片相连的第二导引部和连接于第一导引部和第二导引部之间的熔丝部,每个导引部的宽度均由垫片到熔丝部逐渐变窄,而熔丝部的宽度小于等于所述导引部最窄部分的宽度;位于所述熔丝部下方的衬垫结构区,该衬垫结构区包括在晶圆上形成于不同高度的多个层,衬垫结构区的每个层包括有多个间隔的格子区以及填充于格子区之间的绝缘区,衬垫结构区的不同层的格子区的材质不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中星微电子有限公司,未经无锡中星微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410691729.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅片冗余图形填充方法及产品
- 下一篇:后转向节和多连杆后悬架