[发明专利]形成于晶圆上的修调单元有效

专利信息
申请号: 201410691729.8 申请日: 2014-11-25
公开(公告)号: CN104409436A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 王钊 申请(专利权)人: 无锡中星微电子有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/525
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种形成于晶圆上的修调单元,其包括:第一垫片;第二垫片;连接于第一垫片和第二垫片之间的熔丝体,所述熔丝体包括与第一垫片相连的第一导引部、与第二垫片相连的第二导引部和连接于第一导引部和第二导引部之间的熔丝部,每个导引部的宽度均由垫片到熔丝部逐渐变窄,而熔丝部的宽度小于等于所述导引部最窄部分的宽度;位于所述熔丝部下方的衬垫结构区,该衬垫结构区包括在晶圆上形成于不同高度的多个层,衬垫结构区的每个层包括有多个间隔的格子区以及填充于格子区之间的绝缘区,衬垫结构区的不同层的格子区的材质不同。该衬垫结构区有助于形成阻挡层于衬底和修调单元的熔丝部之间,这样可以防止修调单元与晶圆的衬底短路,提高芯片的良率。
搜索关键词: 形成 晶圆上 单元
【主权项】:
一种形成于晶圆上的修调单元,其特征在于,其包括:第一垫片;第二垫片;连接于第一垫片和第二垫片之间的熔丝体,所述熔丝体包括与第一垫片相连的第一导引部、与第二垫片相连的第二导引部和连接于第一导引部和第二导引部之间的熔丝部,每个导引部的宽度均由垫片到熔丝部逐渐变窄,而熔丝部的宽度小于等于所述导引部最窄部分的宽度;位于所述熔丝部下方的衬垫结构区,该衬垫结构区包括在晶圆上形成于不同高度的多个层,衬垫结构区的每个层包括有多个间隔的格子区以及填充于格子区之间的绝缘区,衬垫结构区的不同层的格子区的材质不同。
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