[发明专利]一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置有效

专利信息
申请号: 201410692587.7 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN105698845B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 刘健鹏;马铁中;焦宏达 申请(专利权)人: 北京智朗芯光科技有限公司
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘杰
地址: 102206 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置,属于半导体材料无损检测技术领域。该单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置在光束入射至晶片基底之前,将透镜设置于分光平片之后,而在形成第二种反射光束之后,将透镜设置于分光平片之前,这样,只需要应用一个透镜即可,无需选用两个透镜,或者,在选用激光器和探测器时,无需它们自身集成有透镜,使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
搜索关键词: 基底 形貌 二维 晶片 透镜 自动检测 单透镜 分光平片 透镜设置 半导体材料 无损检测技术 反射光束 光束入射 检测晶片 激光器 探测器 应用
【主权项】:
1.一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置,包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块,所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX,所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY,其中,N为3以上的自然数,所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成的,所述分析模块根据各所述CX、CY的计算结果,得到基底的二维形貌;其特征在于,还包括第二分光元件、和检测晶片基底温度的装置,所述单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置包括N个PSD,N束激光和第一分光元件,所述N束激光沿直线排布,其中,所述N为3以上的自然数,所述N个PSD与N束激光一一对应,所述N束激光经过第一分光元件反射后入射到第二分光元件,经过所述第二分光元件后形成入射光,所述入射光入射到晶片基底上,并在晶片基底上沿径向形成N个入射点,所述入射光被所述基底反射后形成N束第一种反射光束,所述各第一种反射光束经过所述第二分光元件和所述第一分光元件后,入射到与所述N束激光相对应的PSD上,形成N个光斑;所述检测晶片基底温度的装置包括激光器、探测器、分光平片和透镜,所述激光器发出的经过所述分光平片透射后,又经过所述透镜折射形成平行光束,所述平行光束经过所述第二分光元件射向晶片基底并被所述基底反射后形成第二种反射光束,所述第二种反射光束依次经过所述第二分光元件透射、所述透镜折射后形成汇聚光,又经过所述分光平片反射后进一步汇聚,最终被所述探测器接收。
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