[发明专利]检测晶片基底二维形貌和温度的装置

摘要

本发明提供的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌和温度的装置在N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过N个第一分光片和N个第二分光片，可以使入射到样品上并返回的N束第一种反射光分成两个方向，分别进行探测，能够得到用于检测晶片基底二维形貌的数据；该装置还通过在第一分光片或者第二分光片相应区域镀膜的方法，在第一分光片或者第二分光片上耦合温度测量装置，得到用于检测晶片基底温度的数据。由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。

主权项

检测晶片基底二维形貌和温度的装置，其特征在于，包括N个PSD，N束第一种激光、与所述N束第一种激光一一对应的N个第一分光片、与所述N束第一种激光一一对应的N个第二分光片、温度测量装置，所述N束第一种激光沿直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述N个PSD与N束第一种激光一一对应，所述N个PSD分别布置在所述N束激光的左右两侧，包括左侧PSD和右侧PSD，所述温度测量装置能够发出第二种激光；每束第一种激光经过第一分光片后入射到第二分光片，通过第二分光片后入射到晶片样品表面，晶片样品表面反射的N束第一种反射光束包括第一方向光束和第二方向光束，第一方向光束通过第二分光片后，入射到第一分光片，经过所述第一分光片后，入射到所述右侧PSD上；所述第二方向光束通过第二分光片后入射到所述左侧PSD上；所述N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，其中，对应于所述第一方向光束的区域，所述第一分光片能同时反射和透射所述第一种激光，所述第二分光片能够反射所述第一种激光；对应于所述第二方向光束的区域，所述第二分光片能同时反射和透射所述第一种激光；所述第二种激光通过所述第一分光片或者所述第二分光片后与所述第一种激光耦合，并一同入射到晶片样品表面。