[发明专利]用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件，该器件包括：第一半导体材料的衬底；具有堆叠在衬底上的第一部分、第二部分和第三部分的鳍部件；形成在衬底上并且设置在鳍部件的两侧上的隔离部件；包括所述第二半导体材料、设置在第二部分的凹进的侧壁上、限定位于半导体氧化物部件上面并且位于第三部分下面的凹陷的空隙的半导体氧化物部件；以及设置在鳍部件和隔离部件上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括延伸进入凹陷的空隙并且填充所述凹陷的空隙的栅极介电层。第一和第三部分包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。第二部分包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数不同于第一晶格常数。本发明涉及用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法。

主权项

一种半导体结构，包括：第一半导体材料的衬底，具有第一晶格常数；鳍部件，形成在所述衬底上，其中，所述鳍部件包括：所述第一半导体材料的第一部分，设置在所述衬底上方；第二半导体材料层的第二部分，设置在所述第一部分上方，其中，所述第二半导体材料具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；和所述第一半导体材料的第三部分，设置在所述第二部分上方；隔离部件，形成在所述衬底上并且设置在所述鳍部件的两侧上，其中，所述第二部分的顶面位于所述隔离部件的顶面之上并且所述第二部分包括凹进的侧壁；半导体氧化物部件，包括所述第二半导体材料，设置在所述第二部分的凹进的侧壁上，限定位于半导体氧化物部件上面并且位于所述鳍部件的第三部分下面的凹陷的空隙；以及栅极堆叠件，设置在所述鳍部件和所述隔离部件上，其中，所述栅极堆叠件包括延伸进入所述凹陷的空隙并且填充在所述凹陷的空隙中的栅极介电层，从而在所述凹陷的空隙中形成侧面电介质顶端。