[发明专利]一种改善电迁移特性的方法

摘要

本发明提供一种改善电迁移特性的方法，属于半导体制造技术领域，具体包括步骤1，在铜导线上自下而上依次形成介电阻挡层、介电层以及硬掩膜层；步骤2，以硬掩膜层为基础刻蚀形成一具有凹槽结构的种子层，种子层中掺杂有金属元素；步骤3，通过化学机械抛光去除硬掩膜层；步骤4，采用氧化性气体对种子层进行氧化性退火处理；步骤5，采用惰性气体对种子层进行扩散性退火处理；步骤6，采用还原性气体对种子层进行还原性退火处理；步骤7，在种子层上加设介质阻挡层。上述技术方案的有益效果是：将种子层中的合金元素扩散到铜导线的上表面，改善电迁移的特性，降低铜导线的电阻，结构制作工艺简单，无需增加太多工艺步骤，制作成本较低。

主权项

一种改善电迁移特性的方法，适用于制作铜导线的铜互连工艺中，其特征在于，具体包括：步骤1，在所述铜导线上自下而上依次形成介电阻挡层、介电层以及硬掩膜层；步骤2，以所述硬掩膜层为基础刻蚀形成一具有凹槽结构的种子层，所述种子层中掺杂有金属元素；步骤3，通过化学机械抛光去除所述硬掩膜层；步骤4，采用氧化性气体对所述种子层进行氧化性退火处理；步骤5，采用惰性气体对所述种子层进行扩散性退火处理；步骤6，采用还原性气体对所述种子层进行还原性退火处理；步骤7，在所述种子层上加设一层介电阻挡层。