[发明专利]硅腔结构制作方法以及硅腔结构在审
| 申请号： | 201410693331.8 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409504A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 周海锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅腔结构制作方法以及硅腔结构。所述硅腔结构制作方法包括：在衬底上形成多晶硅栅极以及栅极侧墙；在两个多晶硅栅极的栅极侧墙之间形成U型硅腔；对U型硅腔进行表面氧化，形成表面氧化层；去除表面氧化层，以形成扩张的U型硅腔；在扩张的U型硅腔中执行锗硅外延生长，以在扩张的U型硅腔中形成锗硅区域。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
一种硅腔结构制作方法，其特征在于包括： 第一步骤：在衬底上形成多晶硅栅极以及栅极侧墙； 第二步骤：在两个多晶硅栅极的栅极侧墙之间形成U型硅腔； 第三步骤：对U型硅腔进行表面氧化，形成表面氧化层； 第四步骤：去除表面氧化层，以形成扩张的U型硅腔。
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