[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201410693539.X | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105702746A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;刘钺杨;何延强;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快恢复二极管及其制作方法，二极管包括衬底和P+区，所述P+区在衬底上形成，共同构成PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；本发明的二极管恢复特性既快且软；由于局域寿命控制层的存在，器件不需要过多的全局复合中心，可以降低器件漏电，提高器件雪崩耐量；配合电子辐照与铂掺杂，可以实现正向压降温度系数微正的器件，利于并联；可以对器件阳极及阴极的结构及掺杂进行调整，利于提高器件的正向浪涌及动态雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；其特征在于，在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括依次分布的衬底N‑层以及衬底N+层；在所述衬底N‑层上生长有氧化层。
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