[发明专利]一种单透镜型晶片基底温度测量装置在审

专利信息
申请号: 201410693553.X 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN105698964A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 刘健鹏;桑云刚;黄文勇;严冬;焦宏达 申请(专利权)人: 北京智朗芯光科技有限公司
主分类号: G01K11/32 分类号: G01K11/32
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘杰
地址: 102206 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置,属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前,将透镜设置于分光平片之后,而在形成第二种反射光束之后,将透镜设置于分光平片之前,这样,只需要应用一个透镜即可,无需选用两个透镜,或者,在选用激光器和探测器时,无需它们自身集成有透镜,使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
搜索关键词: 一种 透镜 晶片 基底 温度 测量 装置
【主权项】:
一种单透镜型晶片基底温度测量装置,其特征在于,包括激光器、探测器、分光平片和透镜,所述激光器发出的经过所述分光平片透射后,又经过所述透镜折射形成平行光束,所述平行光束射向晶片基底并被所述基底反射后形成反射光束,所述反射光束依次经过所述透镜折射后形成汇聚光,又经过所述分光平片反射后进一步汇聚,最终被所述探测器接收。
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