[发明专利]一种单透镜型晶片基底温度测量装置在审
申请号: | 201410693553.X | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN105698964A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 刘健鹏;桑云刚;黄文勇;严冬;焦宏达 | 申请(专利权)人: | 北京智朗芯光科技有限公司 |
主分类号: | G01K11/32 | 分类号: | G01K11/32 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 102206 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置,属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前,将透镜设置于分光平片之后,而在形成第二种反射光束之后,将透镜设置于分光平片之前,这样,只需要应用一个透镜即可,无需选用两个透镜,或者,在选用激光器和探测器时,无需它们自身集成有透镜,使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 透镜 晶片 基底 温度 测量 装置 | ||
【主权项】:
一种单透镜型晶片基底温度测量装置,其特征在于,包括激光器、探测器、分光平片和透镜,所述激光器发出的经过所述分光平片透射后,又经过所述透镜折射形成平行光束,所述平行光束射向晶片基底并被所述基底反射后形成反射光束,所述反射光束依次经过所述透镜折射后形成汇聚光,又经过所述分光平片反射后进一步汇聚,最终被所述探测器接收。
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