[发明专利]一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置有效

专利信息
申请号: 201410693963.4 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN105698698B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 刘健鹏;马铁中;张立芳;桑云刚;焦宏达 申请(专利权)人: 北京智朗芯光科技有限公司
主分类号: G01B11/24 分类号: G01B11/24;G01K11/00
代理公司: 11302 北京华沛德权律师事务所 代理人: 刘杰
地址: 102206 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置,属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前,将透镜设置于分光平片之后,而在形成第二种反射光束之后,将透镜设置于分光平片之前,这样,只需要应用一个透镜即可,无需选用两个透镜,或者,在选用激光器和探测器时,无需它们自身集成有透镜,使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
搜索关键词: 一种 透镜 检测 晶片 基底 二维 形貌 温度 装置
【主权项】:
1.一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置,包括单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置、第二分光元件、和检测晶片基底温度的装置,/n所述单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置包括5个PSD,5束激光和第一分光元件,所述5束激光沿直线排布,所述5个PSD与5束激光一一对应,/n所述5束激光经过第一分光元件反射后入射到第二分光元件,经过所述第二分光元件后形成入射光,所述入射光入射到晶片基底上,并在晶片基底上沿径向形成5个入射点,所述入射光被所述基底反射后形成5束第一种反射光束,所述各第一种反射光束经过所述第二分光元件和所述第一分光元件后,入射到与所述5束激光相对应的PSD上,形成5个光斑;/n其特征在于,/n所述检测晶片基底温度的装置包括激光器、探测器、分光平片和透镜,/n所述激光器发出的光经过所述分光平片透射后,又经过所述透镜折射形成平行光束,所述平行光束经过所述第二分光元件射向晶片基底并被所述基底反射后形成第二种反射光束,所述第二种反射光束依次经过所述第二分光元件透射、所述透镜折射后形成汇聚光,又经过所述分光平片反射后进一步汇聚,最终被所述探测器接收;/n还包括通光装置,所述通光装置设置在所述入射光和第一种反射光束共同经过的光路上,所述通光装置上设有5个通光孔,所述5个通光孔与所述5束激光一一对应,所述通光孔间隔地设有反射镜,用于使对应经过的光束方向翻转90°;/n还包括第一计算单元和第二计算单元,/n所述5个PSD将探测到光斑位置信号输送到所述第一计算单元,所述第一计算单元根据所述各光斑的实时位置信号计算得到晶片基底上任意两个入射点之间在沿所述入射光排列方向即X方向的曲率,和晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率,进而得到所述晶片基底的二维形貌,/n所述激光接收装置将探测得到的光强信号输送到所述第二计算单元,所述第二计算单元根据所述光强信号计算得到所述晶片基底的实时温度,/n根据多次测量得到的所述晶片基底的二维形貌和所述晶片基底的实时温度,得到所述晶片基底的二维形貌和所述晶片基底的实时温度之间的分布关系;/n所述5束激光由5个第一种激光器射出,所述5个第一种激光器构成激光器阵列;/n形成的5个光斑分别为A、B、C、D、E,其各自对应的PSD分别为PSD
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