[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410696596.3 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105633154B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在任一凹槽靠近栅极结构一侧的侧壁形成防击穿层；在所述凹槽内形成源漏极。所述方法能够提高形成的晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在任一凹槽靠近栅极结构一侧的侧壁内形成防击穿层；在所述凹槽内形成源漏极。
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