[发明专利]嵌入式锗硅器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410697459.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409505A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;周军;朱亚丹;曾真 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式锗硅器件及其制作方法，先利用第一侧墙形成第一凹槽以及填充的第一锗硅，再利用第二侧墙保留部分第一锗硅并形成第二凹槽，进而在第二凹槽中填充第二锗硅，以在器件源/漏区形成的横向表面形状和锗浓度可调的嵌入式锗硅，从而使得器件具有更大的沟道区有效应力。进一步在第一凹槽形成之后、第二凹槽形成之后，对半导体衬底热处理或者氧化处理来优化凹槽的形状，使得后续外延生长的锗硅的填充性能更佳。本发明的嵌入式锗硅器件，在器件源/漏区的横向上的表面形状和锗浓度均可调，从而使得器件具有更大的沟道区有效应力。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式锗硅器件的制作方法，其特征在于，包括：在一半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极以及围绕在栅极和栅极介电层的两侧的第一侧墙；以所述栅极和第一侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底的源/漏区以形成第一凹槽；在第一凹槽中填充第一锗硅，所述第一锗硅的上表面不低于所述半导体衬底上表面；在所述第一锗硅上形成围绕所述第一侧墙的第二侧墙；以所述第二侧墙、第一侧墙和栅极为掩膜，刻蚀未被第二侧墙覆盖的第一锗硅和半导体衬底以形成第二凹槽；在所述第二凹槽中填充第二锗硅，所述第一锗硅和第二锗硅的锗浓度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410697459.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
