[发明专利]一种低温漂CMOS带隙基准源电路在审
| 申请号： | 201410698360.3 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104375552A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李弦 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯海科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 刘大弯 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温漂CMOS带隙基准源电路，该电路包含电阻R1A/R1B，三极管Q1/Q2，运放OP1，所述电路还包括有电阻Rcp/Rb、NMOS管电流镜、PMOS管电流镜，及补偿电流产生电路；其中，Rb并接于三极管Q1的基极，电阻Rb接于NMOS管电流镜、PMOS管电流镜之间，并连接于运放OP1；补偿电流产生电路则接于PMOS管电流镜。本发明通过上述电路结构的改进，使通过电阻Rcp的电流可以来调整三极管基极电流，从而调整其温度特性，得到低温漂的基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 cmos 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种低温漂CMOS带隙基准源电路，该电路包含电阻R1A/R1B，三极管Q1/Q2，运放OP1，其特征在于所述电路还包括有电阻Rcp/Rb、NMOS管电流镜、PMOS管电流镜，及补偿电流产生电路；其中，Rb并接于三极管Q1的基极，电阻Rb接于NMOS管电流镜、PMOS管电流镜之间，并连接于运放OP1；补偿电流产生电路则接于PMOS管电流镜。
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