[发明专利]使用还原方法的分子层沉积在审

专利信息
申请号: 201410698422.0 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104975273A 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 李相忍;黄敞玩 申请(专利权)人: 威科ALD有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;刘媛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 通过以下步骤使材料沉积到基底上:将基底暴露于含金属前体以使含金属前体的金属原子吸附至基底。将注射有含金属前体的基底暴露于有机前体以通过有机前体与吸附至基底的金属原子的反应使材料层沉积。将基底暴露于还原剂的自由基以增加沉积在基底上的材料的反应性。还原剂的自由基通过用电极向气体例如氢气施加电压差而产生。可在将基底暴露于有机前体之前和/或之后将基底暴露于自由基。可将基底依次暴露于两种或更多种不同的有机前体。沉积在基底上的材料可以是金属醇盐,例如铝氧烷、锌氧烷、锆氧烷、钛氧烷或镍氧烷。本发明还公开了包含沉积到基底上的材料的产品,其通过上述方法产生;以及用于使材料层沉积到基底上的设备。
搜索关键词: 使用 还原 方法 分子 沉积
【主权项】:
一种用于使材料沉积到基底上的方法,所述方法包括:(a)将所述基底暴露于含金属前体以使所述含金属前体的金属原子吸附至所述基底;(b)将注射有所述含金属前体的所述基底暴露于有机前体以通过所述有机前体与吸附至所述基底的所述金属原子的反应使材料层沉积;以及(c)将所述基底暴露于还原剂的自由基以增加沉积在所述基底上的所述材料的反应性。
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