[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201410698444.7 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409515A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 刘凤娟;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够在构图工艺次数较少的前提下，防止氧化物薄膜晶体管的有源层被破坏。该氧化物薄膜晶体管包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，该氧化物薄膜晶体管还包括位于所述源极和所述漏极下的导电的保护层，所述源极和所述漏极通过所述保护层与所述有源层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，还包括位于所述源极和所述漏极下的导电的保护层，所述源极和所述漏极通过所述保护层与所述有源层连接。
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