[发明专利]一种聚焦电子束蒸发源及蒸发镀膜装置在审

专利信息
申请号: 201410698963.3 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN104611672A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 张赛;孙雪平;易文杰;彭立波 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种聚焦电子束蒸发源及蒸发镀膜装置,蒸发源包括:电子束产生装置:用于产生大束流平行电子束;电子束传输装置:用于使所述大束流平行电子束加速后聚集为汇聚束,并传输到电子束最小束斑位置;蒸发材料输送装置:用于在接收到电子束检测装置的检测信号后将丝状蒸发材料输送到所述电子束最小束斑位置;至少一个电子束检测装置:用于检测经过电子束最小束斑位置之后的发散束。本发明的蒸发源可以根据蒸发速率的不同调整电子束产生装置的功率,进而改变电子束的功率密度;蒸发镀膜装置能保证薄膜生长速率高、均匀性好。
搜索关键词: 一种 聚焦 电子束 蒸发 镀膜 装置
【主权项】:
 一种聚焦电子束蒸发源,其特征在于,包括:电子束产生装置(10):用于产生大束流平行电子束(11);电子束传输装置:用于使所述大束流平行电子束(11)加速后聚集为汇聚束(12),并传输到电子束最小束斑位置(13);蒸发材料输送装置(16):用于在接收到电子束检测装置(15)的检测信号后将丝状蒸发材料(17)输送到所述电子束最小束斑位置(13);至少一个电子束检测装置(15):用于检测经过电子束最小束斑位置(13)之后的发散束(14)。
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