[发明专利]一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置在审
申请号: | 201410699196.8 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104409396A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 童锐;张小刚;柯希满;杨大谊 | 申请(专利权)人: | 太极能源科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;B08B3/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置,该装置包括依次放置的蚀刻槽、第一清洗槽、碱洗槽、第二清洗槽、酸洗槽及第三清洗槽;第一清洗槽的入口及出口处分别装设有第一水刀及第二水刀;该装置还包括第一储液槽及第二储液槽,分别通过连接管道与第三清洗槽及第二水刀相连,当第三清洗槽中的液体达到预设水位时,排放多余的液体至第二储液槽,第二储液槽为第二水刀供液;第一储液槽通过连接管道分别与第一清洗槽及蚀刻槽相连,第一清洗槽为第一水刀供液,当第一清洗槽中的液体达到预设水位时,排放多余的液体至第一储液槽,第一储液槽中的液体用于为蚀刻槽补水及配液。本发明可以有效减少含氮废水的排放,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 湿法 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池片的湿法蚀刻装置,包括依次放置的蚀刻槽、第一清洗槽、碱洗槽、第二清洗槽、酸洗槽及第三清洗槽;所述第一清洗槽的入口及出口处分别装设有第一水刀及第二水刀;其特征在于:所述湿法蚀刻装置还包括第一储液槽及第二储液槽;所述第二储液槽分别通过连接管道与所述第三清洗槽及所述第二水刀相连,当所述第三清洗槽中的液体达到预设水位时,排放多余的液体至所述第二储液槽,所述第二储液槽为所述第二水刀供液;所述第一储液槽通过连接管道分别与所述第一清洗槽及所述蚀刻槽相连,所述第一清洗槽为所述第一水刀供液,当所述第一清洗槽中的液体达到预设水位时,排放多余的液体至所述第一储液槽,所述第一储液槽中的液体用于为所述蚀刻槽补水,并用于所述蚀刻槽的蚀刻液配液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造