[发明专利]矿用杂散电流检测装置有效
申请号: | 201410699872.1 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104459298B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 宋建成;耿蒲龙;田慕琴;宋渊;刘媛;梁智勇;李泽宇 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | G01R19/25 | 分类号: | G01R19/25 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一种矿用杂散电流检测装置,特别用于井下电缆和各种管路的杂散电流的检测。检测装置主要包括五个部分,即信号检测单元、信号处理单元、聚磁单元、磁屏蔽单元和防爆外壳;信号检测单元通过磁阻传感器采集杂散电流信号,信号处理单元对检测到的信号进行数字滤波、电流解算和误差补偿校准,再实时显示于液晶显示屏;聚磁单元实现增强被测磁场强度的目的;磁屏蔽单元屏蔽现场与检测信号不相关的磁场信息;防爆外壳将检测装置主电路板与外界隔离,既避免内部火花对井下环境造成的危险,又屏蔽主电路板对磁阻传感器产生的电磁干扰;本发明适用于井下各种杂散电流的检测,具有安全、可靠、精度高、便于组网等优点,可为井下杂散电流防治措施的制定提供判断依据。 | ||
搜索关键词: | 矿用杂散 电流 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种矿用杂散电流检测装置,由磁场强度信号检测单元、磁场强度信号处理单元、聚磁单元、磁屏蔽单元、通讯单元以及防爆外壳组成,其特征在于:所述磁场强度信号检测单元由磁阻传感器(1)、磁场强度信号调理电路(U1)、磁阻传感器偏置电流驱动电路(U2)、磁阻传感器电桥偏置调节电路(U3)和磁阻传感器置/复位电路(U4)组成,实现对杂散电流信号的采集和调理;磁阻传感器(1)安装在防爆壳体(7)之外,通过喇叭口(6)实现与主电路板(8)的电气连接;磁阻传感器(1)的敏感轴一侧与聚磁装置(2)的磁感应线汇集端相连接;所述磁场强度信号调理电路(U1)、磁阻传感器偏置电流驱动电路(U2)、磁阻传感器电桥偏置调节电路(U3)和磁阻传感器置/复位电路(U4)共同构成磁阻传感器外围电路;所述磁场强度信号调理电路(U1)包括一阶差分滤波电路(电阻RF1、电阻RF2、电容CF1和电容CF2组成)、差分放大电器(UF1)和反相器(UF2),实现信号的调理;磁场强度信号调理电路(U1)的差分输入端和磁阻传感器(1)的输出引脚Xout+和Xout‑相连接,信号经过一阶差分滤波电路(电阻RF1、电阻RF2、电容CF1和电容CF2组成)后进入差分放大器(UF2),差分放大器(UF2)的放大倍数可通过电阻RF3来调节,在差分放大器(UF2)的5号引脚和6号引脚连接一个增益为‑1的反相器(UF2),可以使信号调理电路(U1)具有更好的共模抑制比;通过磁场强度信号调理电路(U1)将磁阻传感器(1)输出的电压信号调节至C8051F020芯片(U9)内置ADC模块的电压输入范围;所述磁阻传感器偏置电流驱动电路(U2)包括偏置电流驱动芯片(UZ1),所述偏置电流驱动芯片(UZ1)为XTR115,可向偏置电流带提供的最大偏置电流为20mA,产生的最大偏置磁场为0.4Gs,XTR115的3号引脚作为芯片的参考地,7号引脚接+5V电源,1号引脚产生2.5V的电压,电位器(RZ1)连接在XTR115的1号引脚和2号引脚之间,通过调节电位器(RZ1)就可以在XTR115的4号引脚产生变化的偏置电流,产生的偏置电流通过与磁阻传感器(1)的引脚offset‑相连接;所述磁阻传感器电桥偏置调节电路(U3),由开关(SW1和SW2)和电位器(RC1和RC2)组成,HMC1001的电桥偏置范围是‑60mV~30mV,其典型值为‑15mV,开关SW1和SW2一端接+5V电源,另一端分别和磁阻传感器(1)的引脚Xout+和Xout‑相连接,当磁阻传感器输出Xout+大于Xout‑时,电桥偏置为正,闭合SW1,断开SW2,调节电位器RC1使电桥达到平衡;Xout+小于Xout‑时,电桥偏置为负,断开SW1,闭合SW2,调节电位器RC2使电桥达到平衡;所述磁阻传感器置/复位电路(U4),由置/复位信号产生电路(US1)和5V~20V升压电路(US2)组成;磁阻传感器(1)内置一条置/复位电流带,用以将磁阻传感器内部各个磁畴进行排列和整合,从而恢复传感器的特性;5V~20V升压电路(US2)采用芯片MAX662A,其5号引脚接+5V电源,6号引脚产生的20V电压与IRF7106芯片的3号引脚相连接;三极管Q1的基极和C8051F020芯片(U9)的P0.0口相连,发射极接模拟地,集电极和电容CS1一侧相连;CS1为充放电电容,其另一侧和IRF7106芯片的4号引脚相连,用以控制IRF7106芯片内部增强型P沟道场效应管的导通和截止;IRF7106芯片的2号引脚与C8051F020芯片(U9)的P0.1口相连,用以控制IRF7106芯片内部增强型N沟道场效应管的导通和截止;CS3为置/复位信号产生电容,一端和IRF7106芯片的5号引脚相连,另一端和磁阻传感器(1)的S/R+引脚相连接;所述磁场强度信号处理单元由C8051F020芯片(U9)、复位电路(U10)、时钟电路(U11)、JTAG接口电路(U12)和电源转换电路(U13)以及RS‑485通讯电路(U18)组成,实现对信号的数字滤波、电流解算、实时存储和数据通讯,复位电路(U10)、时钟电路(U11)、JTAG接口电路(U12)和电源转换电路(U13)以及RS‑485通讯电路(U18)与C8051F020芯片(U9)对应的管脚相连接;所述的聚磁单元由聚磁装置(2)、连接杆(4)、上部转轴(3)和下部转轴(5)组成,实现增强被测磁场强度的目的,聚磁装置(2)和磁阻传感器(1)安装在上部转轴(3)上,经连接杆(4)和下部转轴(5)固定在防爆壳体(7)的上部;所述的磁屏蔽单元由磁屏蔽板(9)和转轴(10)组成,实现屏蔽干扰磁场的目的,磁屏蔽板(9)通过转轴(10)固定在防爆壳体(7)的上部边缘,磁屏蔽板(9)的长度大于连接连接杆(4)的长度;所述的防爆外壳包括防爆壳体(7)和内置的液晶显示屏(13),防爆壳体(7)由钢板焊接而成,防爆壳体(7)上开有用于磁阻传感器电气进线的喇叭口(6),侧面开有用于通讯的喇叭口(11)和用于电源进线的喇叭口(12),液晶显示屏(13)置于防爆壳体(7)内部。
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