[发明专利]一种改善PECVD制程良率的方法在审
| 申请号： | 201410700949.2 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104498910A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 谢雄伟;李建;任思雨;苏君海;李建华;黄亚清 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21为设置在玻璃基板20上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层25，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜；预沉膜，选取一定厚度的GH层22对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物23清除，表面的异物23被清除后留下凹坑24；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H-H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。本发明提供一种可有效清除膜下异物的改善PECVD制程良率的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 pecvd 制程良率 方法 | ||
【主权项】：
一种改善PECVD制程良率的方法，该PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜为设置在玻璃基板上的金属膜，AS膜是半导体膜且进一步细分为5层，其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层，GH膜的厚度记为H，其特征在于，包括预沉膜，选取一定厚度的GH层对GE膜表面进行沉膜，该厚度记为H1；毛刷清洗，使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗，将此时处于表面的异物清除，表面的异物被清除后留下凹坑；再沉膜，再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜，该厚度记为H2，且H2=H‑H1；上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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