[发明专利]彩色滤光片中拼接曝光方法有效
申请号: | 201410701000.4 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104407504A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 李亚明 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶材料科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210033 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是彩色滤光片中拼接曝光的方法,包括;1)拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark,需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光;2)拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,需要确认其拼接mark的套合精度;3)拼接曝光在PS制程中可依据BM制程的对位mark实施正常曝光。优点:1)容易在2sho拼接的地方造成拼接MURA且要求shot间拼接精度高,能精准对接而不造成错位或断层;2)减小拼接MURA,拼接处避免直线拼接,曲线拼接,弱化拼接MURA的产生。3)使用价格较低廉的接近式曝光机替代扫描式曝光机,工艺简单。 | ||
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【主权项】:
彩色滤光片中拼接曝光的方法,其特征是该方法包括包括如下步骤;1)拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark,需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光,将增加曝光shot数,如果RGB三种基色采用Stripe方式排列的话,因考虑到RG B的拼接MURA需要对RGB采用不同的对位mark, 则其BM制程的shot数将更多可达10shot以上;2)拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,为确认其拼接的精度需要确认其拼接mark的套合精度,若RGB三种基色光在同一pxis实施拼接的话,因此区域被多次曝光且受套合精度的影响非常容易形成色差即拼接MURA,防止此MURA发生,则在mask设计中将RGB错开实施拼接,这样可以有效防止直线型拼接MURA的发生;3)拼接曝光在PS制程中可依据BM制程的对位mark,实施正常曝光。
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