[发明专利]太阳能电池芯片、采用该芯片的太阳能电池模组以及其制作方法有效
申请号: | 201410703306.3 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104393065A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 熊伟平;林桂江;刘冠洲;李明阳;杨美佳;吴超瑜;王笃祥 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种太阳能电池芯片、应用该芯片的超薄聚光太阳能电池模组及其制作方法,其中电池芯片直接倒装焊接至聚光透镜下表面,实现聚光型太阳能电池模组的超薄化,并省去了电池芯片的封装及其支撑基板,大幅降低发电成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 芯片 采用 模组 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
太阳能电池芯片,包括:太阳能电池外延结构,具有正、背两个相对的表面,其中正面具有电极区和光接受区;正面电极,位于所述太阳能电池外延结构正面的电极区;背面电极,位于所述太阳能电池外延结构的背面,并延伸至所述太阳能电池外延结构外,通过一金属焊盘引至正面;支撑基板,位于所述背面电极的下方,并通过一第一粘接层与所述太阳能电池外延结构粘接;第二粘接层,位于所述太阳能电池外延结构正面的光接受区,其上表面高于所述正面电极及背面电极的金属焊盘。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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