[发明专利]具有改良光吸收效率的前感光式半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410704352.5 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105097854A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 黄森煌;潘焕堃;张义昌;陈经纬 | 申请（专利权）人： | 原相科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 孙向民;肖冰滨 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有改善光吸收效率的前感光式半导体结构，其可通过在前感光式半导体结构底层附加一层光反射层来提高光吸收效率；其中，该反射层可在封装过程或半导体工艺中制作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 光吸收 效率 感光 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种前感光式半导体结构，包含：透光层，具有上表面与下表面，其中所述上表面用于接收入射光线，且所述入射光线经过所述透光层后穿出所述下表面而形成出射光线；芯片结构，包含光感测区以及基底层，其中一部分出射光线依次穿过所述光感测区及所述基底层；以及反射层，形成于所述基底层的底面，用于将所述部分出射光线反射回所述光感测区而再次被所述光感测区吸收。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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