[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底以及覆盖于衬底表面的刻蚀停止层，所述衬底内具有若干分立的底层金属层；刻蚀所述刻蚀停止层，形成暴露出底层金属层表面的凹槽；采用自对准生长工艺，形成填充满所述凹槽的电连接层，所述电连接层与底层金属层电连接；形成若干分立的第一石墨烯层、位于第一石墨烯层表面的存储介质层、以及位于存储介质层表面的第二石墨烯层，且第一石墨烯层位于电连接层表面以及部分刻蚀停止层表面。本发明简化工艺步骤，避免额外的工艺带来的不良影响，同时提高转化效率以及擦写速率，优化半导体结构的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及覆盖于衬底表面的刻蚀停止层，所述衬底内具有若干分立的底层金属层；刻蚀所述刻蚀停止层，形成暴露出底层金属层表面的凹槽；采用自对准生长工艺，形成填充满所述凹槽的电连接层，所述电连接层与底层金属层电连接；形成若干分立的第一石墨烯层、位于第一石墨烯层表面的存储介质层、以及位于存储介质层表面的第二石墨烯层，且第一石墨烯层位于电连接层表面以及部分刻蚀停止层表面。