[发明专利]半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201410705018.1 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104407224A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李纪;陈传宝 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板，属于阵列基板检测技术领域，其可解决现有的阵列基板有源区接触电阻检测方法准确性差的问题。本发明的半导体-金属接触电阻率检测方法中，待检测的半导体层上有至少3个形状和尺寸相同，且相互平行、间隔、相对设置的金属条；所述半导体-金属接触电阻率检测方法包括：确定多个检测组，每个检测组中有两个金属条，不同检测组的两个金属条的两相对表面间的距离不同；依次分别在各检测组的两个金属条间通电流，并检测两个金属条间的电压；根据各检测组的两个金属条间的电流和电压计算出半导体-金属接触电阻率。本发明可用于检测阵列基板的薄膜晶体管的有源区与源漏极间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属 接触 电阻率 检测 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种半导体‑金属接触电阻率检测方法，其特征在于，待检测的半导体层上有至少3个形状和尺寸相同，且相互平行、间隔、相对设置的金属条；所述半导体‑金属接触电阻率检测方法包括：确定多个检测组，每个检测组中有两个金属条，不同检测组的两个金属条的两相对表面间的距离不同；依次分别在各检测组的两个金属条间通电流，并检测两个金属条间的电压；根据各检测组的两个金属条间的电流和电压计算出半导体‑金属接触电阻率。
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