[发明专利]热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法无效
申请号: | 201410706027.2 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104498766A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 舒世立;佟存柱;田思聪;汪丽杰;宁永强;王立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C32/00;C22C29/00;C22C1/05;H01S5/024 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 王丹阳 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法,属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉热膨胀系数大,大部分陶瓷热沉导热系数差,而具有低膨胀、高导热特性的陶瓷热沉又价格昂贵难于加工的问题。该热沉由20–80vol.%的Cu和20–80vol.%的陶瓷颗粒组成,其中,陶瓷颗粒为TiB2、TiC、ZrB2或者ZrC。本发明的Cu热沉可以通过调节其陶瓷颗粒含量使其热膨胀系数在5.91×10-6/K到13.44×10-6/K范围内可调,进而使其与半导体激光器芯片热膨胀系数匹配,降低焊接的内应力,提高半导体激光器的可靠性和使用寿命,适用于半导体激光器芯片散热与封装。 | ||
搜索关键词: | 热膨胀 系数 可调 cu 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
热膨胀系数可调的Cu热沉,其特征在于,由20–80vol.%的Cu和20–80vol.%的陶瓷颗粒组成,所述陶瓷颗粒为TiB2、TiC、ZrB2或者ZrC。
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