[发明专利]半导体器件的接触件结构在审
| 申请号： | 201410706358.6 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104681535A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;林衍廷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 上述实施例提供了形成具有低电阻的接触件结构的机制。具有多个子层的应变材料堆叠件用于降低接触件结构下面的导电层的肖特基势垒高度(SBH)。应变材料堆叠件包括SiGe主层、梯度SiGe层、GeB层、Ge层和SiGe顶层。GeB层将肖特基势垒移至GeB和金属锗化物之间的界面，这大大降低了肖特基势垒高度(SBH)。较低的SBH、SiGe顶层中的Ge形成金属锗化物以及GeB层中的高B浓度有助于减小接触件结构下面的导电层的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：栅极结构，形成在半导体衬底的表面上方；凹槽，邻近所述栅极结构，其中，所述凹槽形成在所述半导体衬底的表面下方；应变材料堆叠件，填充所述凹槽，其中，所述应变材料堆叠件中的材料的晶格常数与所述衬底的晶格常数不同，其中，所述应变材料堆叠件包括硼掺杂的(B掺杂的)锗(GeB)层、金属‑Ge层和金属‑SiGe层；以及接触件结构，形成在层间介电(ILD)层中，其中，所述接触件结构的底部与所述金属‑SiGe层接触。
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