[发明专利]半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410706951.0 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681604B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;R·巴布斯克;C·耶格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一种半导体器件中，势垒区被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间。势垒区和电荷载流子转移区形成pn结。势垒区和漂移区形成单质结。在势垒区中的平均杂质浓度高达漂移区中的杂质浓度的至少10倍。控制结构被布置为，在反型状态中在漂移区和势垒区中形成反型层。在非反型状态中，没有反型层在漂移区和势垒区中被形成。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒区 漂移区 半导体器件 电荷载流子 反型状态 反型层 转移区 绝缘栅双极型晶体管 控制结构 单质结 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：势垒区，其被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间，所述势垒区和所述电荷载流子转移区形成pn结，并且所述势垒区和所述漂移区形成单质结，其中所述势垒区中的杂质浓度高达所述漂移区中的杂质浓度的至少10倍；控制结构，其被配置为在反型状态中在所述漂移区和所述势垒区中形成反型层，并且在非反型状态中，在所述漂移区和所述势垒区中不形成反型层。
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