[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410707066.4 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702723B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层；形成覆盖半导体衬底、应力层以及栅极结构的非晶半导体材料层；以所述栅极结构顶部作为停止层，对所述非晶半导体材料层进行平坦化，形成表面与栅极结构顶部齐平的非晶半导体层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述非晶半导体层，在所述应力层表面形成盖帽层。上述方法可以提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层；形成覆盖半导体衬底、应力层以及栅极结构的非晶半导体材料层；以所述栅极结构顶部作为停止层，对所述非晶半导体材料层进行平坦化，形成表面与栅极结构顶部齐平的非晶半导体层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述非晶半导体层，在所述应力层表面形成盖帽层。
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