[发明专利]互连结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构及其形成方法。互连结构的形成方法包括：在所述衬底上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成粘附层，所述粘附层的材料为氧化硅或掺碳的氧化硅，且形成粘附层的温度在350到400摄氏度的范围内；在所述粘附层上形成低K介质层。在350到400摄氏度的范围内形成的粘附层致密度介于低K介质层与绝缘层的致密度之间，与绝缘层的密度较为接近，并且机械强度较好。与现有技术中低K介质层与绝缘层直接接触相比，本发明在低K介质层与绝缘层之间形成了致密度介于低K介质层与绝缘层的致密度之间的粘附层，使得低K介质层与粘附层之间、粘附层与绝缘层之间分别具有较好的粘附力，提高了互连结构的性能。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成粘附层，所述粘附层的材料为氧化硅或掺碳的氧化硅，且形成粘附层的温度在350到400摄氏度的范围内；在所述粘附层上形成低K介质层；对所述低K介质层、粘附层和绝缘层进行刻蚀，在所述低K介质层、粘附层和绝缘层中形成通孔；在所述通孔中形成导电插塞；形成低K介质层的步骤包括：先在所述粘附层上形成初始介质层，形成初始介质层的过程中，在初始介质层的高度达到第一高度时，通入致孔剂，在第一高度以上的初始介质层中掺杂致孔剂；对所述初始介质层进行紫外光辐照，去除致孔剂，在所述第一高度以上的初始介质层形成多孔介质层，所述第一高度以下的初始介质层为缓冲介质层，所述缓冲介质层和多孔介质层构成所述低K介质层；与所述多孔介质层相比，所述缓冲介质层的致密度较高；与所述粘附层相比，所述缓冲介质层的致密度较低。