[发明专利]一种射频无源电感的Q值提升电路在审
| 申请号： | 201410707341.2 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104579307A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 杨格亮;许仕龙;杜克明;王明;刘长龙;魏恒 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种射频无源电感的Q值提升电路，利用无源电感与感性有源负阻电路的并联的方案弥补传统无源及有源技术方案的不足，实现射频无源电感的Q值提升。整个Q值提升电路由四个NMOS晶体管、一个直流电流源I、一个电阻器R和一个有损射频无源电感器L组成。通过调节直流电流源I和电阻器R的值来抵消无源电感L的寄生电阻以达到提升有损射频无源电感器L之Q值的目的，而整个射频无源电感的Q值提升电路的等效感值主要由有损射频无源电感器L决定。本发明属于射频技术领域，可以用于集成射频接收机前端的放大器、压控振荡器及滤波器中需要利用电感的高Q值来提高电路性能的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 无源 电感 提升 电路 | ||
【主权项】：
一种射频无源电感的Q值提升电路，其特征在于：包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、有损射频无源电感器(L)、电阻器(R)和直流电流源(I)；直流电源VDD分别连接电感器(L)的一端、电阻器(R)的一端和第四NMOS晶体管(M4)的漏极，电感器(L)的另一端分别连接第三NMOS晶体管(M3)的漏极、第四NMOS晶体管(M4)的栅极和射频无源电感的Q值提升电路的引出端，电阻器(R)的另一端连接第三NMOS晶体管(M3)的栅极，第三NMOS晶体管(M3)的源极分别连接第一NMOS晶体管(M1)的漏极和第二NMOS晶体管(M2)的栅极，第四NMOS晶体管(M4)的源极分别连接第二NMOS晶体管(M2)的漏极和第一NMOS晶体管(M1)的栅极，第一NMOS晶体管(M1)的源极和第二NMOS晶体管(M2)的源极连接在一起后接在直流电流源(I)的一端，直流电流源(I)的另一端接到直流地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所，未经中国电子科技集团公司第五十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410707341.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
