[发明专利]一种光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410707446.8 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104538121A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 董相廷;马千里;于文生;王进贤;王婷婷;于辉;刘桂霞 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01B13/016 分类号: H01B13/016;D01F6/52;D01F1/10;D01D1/02;D01D5/34;B82B3/00;B82B1/00
代理公司: 代理人:
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括五个步骤:(1)沉淀法制备油酸包覆的Fe3O4纳米晶;(2)沉淀法制备Tb(BA)3phen配合物;(3)制备聚甲基丙烯酸甲酯;(4)配制纺丝液;(5)制备[Fe3O4/PANI/PMMA]@[Tb(BA)3phen/PMMA]光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列,采用同轴静电纺丝技术制备。所制备的带状同轴纳米电缆阵列具有良好的发光、导电和磁性,带状同轴纳米电缆的宽度为10μm,厚度小于1μm,长度大于500μm。本发明的方法简单易行,可以批量生产,这种新型的纳米结构材料具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 电磁 功能 带状 同轴 纳米 电缆 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
一种光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列,其特征在于,带状同轴纳米电缆呈现阵列结构,具有发光、导电和磁性三种功能,带状同轴纳米电缆的宽度为10μm,厚度小于1μm,长度大于500μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学;,未经长春理工大学;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410707446.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top