[发明专利]高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料及其制备方法在审
申请号: | 201410707875.5 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104446391A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 康雪雅 | 申请(专利权)人: | 成都德兰特电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 熊晓果;刘雪莲 |
地址: | 610050 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料。所述热敏电阻材料包括下述组分:Al2O3、Cr2O3、NiO、AlN和SiO2,其中Al2O3、Cr2O3、NiO、AlN和SiO2的摩尔比为1:0.2~0.5:0.1~0.3:0.2~0.7:0.4~0.7。该热敏电阻材料具有良好的负温度系数热敏特性,在300~500℃温区的电阻率为5.0×107~6.0×109Ω·m,材料特性常数B值为5400K—13000K。同时该热敏电阻材料还具有粒径小、粒径分布均匀,稳定性好的良好特性。本发明还提供了所述热敏电阻材料的制备方法。本发明所述制备方法中原材料来源广泛,制备工艺简单,易于掌握,生产成本低,具有较广阔的市场应用前景。 | ||
搜索关键词: | 电阻率 温度 系数 热敏电阻 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料,其特征在于,所述热敏电阻材料包括下述组分:Al2O3、Cr2O3、NiO、AlN和SiO2,所述Al2O3、Cr2O3、NiO、AlN和SiO2的摩尔比为1:0.2~0.5:0.1~0.3:0.2~0.7:0.4~0.7。
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