[发明专利]一种SOI ESD两级保护网络

摘要

本发明提供一种SOIESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括缓冲电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及偏置电阻，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接NMOS晶体管的漏极，所述PMOS晶体管的栅极及体区接电源线，源极接保护网络的输入端，漏极接NMOS晶体管的栅极及体区，并通过所述偏置电阻连接至地线，所述NMOS晶体管的源极接地线。本发明利用在ESD放电过程中在泄放通路中自然产生的电压降来迅速导通二级保护网络中的PMOS器件，从而触发动态阈值NMOS器件，提高二级保护网络的反应速度，大大降低内部电路栅被击穿的可能性。

主权项

一种SOI ESD两级保护网络，其特征在于，包括：第一级保护网络，包括第一二极管及第二二极管，所述第一二极管的阳极与第二二极管的阴极相连，作为保护网络的输入端，所述第一二极管的阴极接电源线，所述第二二极管的阳极接地线；第二级保护网络，包括缓冲电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及偏置电阻，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接NMOS晶体管的漏极，并作为保护网络的输出端，所述PMOS晶体管的栅极及体区接电源线，源极接保护网络的输入端，漏极接NMOS晶体管的栅极及体区，并通过所述偏置电阻连接至地线，所述NMOS晶体管的源极接地线。