[发明专利]SOI工艺的静电保护结构及其构成的静电保护电路

摘要

本发明公开了一种SOI工艺的静电保护结构，在绝缘衬底硅上设有一硅控整流器，衬底上方有一场氧化绝缘埋层，场氧化绝缘埋层上方有淀积一层硅体，硅体从左到右分别依次设有P型阱、第一N型扩散区和N型阱，在P型阱和N型阱上方分别设有多晶硅栅，P型阱左侧具有呈相间排列的第二P型扩散区和第二N型扩散区，N型阱的右侧具有呈相间排列的第三P型扩散区和第三N型扩散区；所有第二P型扩散区和第二N型扩散区通过连线连接作为接地端，所有第三P型扩散区和第三N型扩散区通过连线连接作为静电进入端。本发明还公开了一种由所述静电保护结构构成的静电保护电路。本发明的静电保护结构能在SOI工艺上实现硅控整流器结构提升静电保护器件泄放电流能力。

主权项

一种SOI工艺的静电保护结构，在绝缘衬底硅上设有一硅控整流器，其特征是，该静电保护结构包括：衬底上方有一场氧化绝缘埋层，场氧化绝缘埋层上方有淀积一层硅体，硅体从左到右分别依次设有P型阱、第一N型扩散区和N型阱，在P型阱和N型阱上方分别设有多晶硅栅，P型阱左侧具有呈相间排列的第二P型扩散区和第二N型扩散区，N型阱的右侧具有呈相间排列的第三P型扩散区和第三N型扩散区；所有第二P型扩散区和第二N型扩散区通过连线连接作为接地端，所有第三P型扩散区和第三N型扩散区通过连线连接作为静电进入端。