[发明专利]LED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410709185.3 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104409584A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 丁海生;马新刚;李东昇;李芳芳;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED结构及其制作方法，利用离子注入技术在发光半导体层的预定区域形成若干高阻态离子注入层，所述若干高阻态离子注入层将发光半导体层分割成若干绝缘分离的独立发光半导体层，后续芯片制造端无需再通过光刻刻蚀工艺进行隔离槽的制作，更无须再用绝缘材料填充隔离槽，而这些正是芯片制造端成本昂贵的工艺步骤，也是其提高可靠性和良率的技术瓶颈，本发明有利于提高LED发光亮度、LED芯片可靠性及LED芯片良率，且可降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED结构制作方法，其特征在于，包括：提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光半导体层，并通过离子注入工艺在发光半导体层的预定位置形成若干高阻态离子注入层，所述若干高阻态离子注入层将发光半导体层分割成若干绝缘分离的独立发光半导体层，每个独立发光半导体层均包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；在每个独立发光半导体层中形成一凹槽，所述凹槽贯穿所述P型半导体层、有源层和至少部分N型半导体层，每个高阻态离子注入层的一侧壁被一个凹槽暴露出来；在每个独立发光半导体层的P型半导体层上形成第一电极，在每个独立发光半导体层的凹槽内形成第二电极，并将部分相邻的独立发光半导体层的第二电极和第一电极电连接形成串联结构；在所述发光半导体层所有暴露的表面上形成钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的第一电极和为尾的独立发光半导体层上的第二电极的引线孔。
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