[发明专利]含锗鳍与化合物半导体鳍的集成

摘要

本发明提供含锗鳍与化合物半导体鳍的集成。在绝缘体层上形成含锗层和电介质帽层的叠层。该叠层被图案化以形成含锗半导体鳍和其上具有电介质帽结构的含锗芯结构。电介质掩蔽层被沉积和图案化以掩蔽含锗半导体鳍，同时使所述含锗芯结构的侧壁物理暴露。通过选择性外延化合物半导体材料，在每个含锗芯结构的周围形成环形化合物半导体鳍。每个含锗芯的中心部可被去除以使所述环形化合物半导体鳍的内侧壁物理暴露。可在所述环形化合物半导体鳍的物理暴露表面上形成高迁移率化合物半导体层。电介质掩蔽层和鳍帽电介质可被去除以提供含锗半导体鳍和化合物半导体鳍。

主权项

一种半导体结构，包括：环形化合物半导体鳍，其包含化合物半导体材料并且位于绝缘体层上；以及含锗半导体材料部的对，其与所述环形化合物半导体鳍的横向半导体鳍部的对的内侧壁以及所述环形化合物半导体鳍的纵长半导体鳍部的对的内侧壁的两端部接触且不与所述环形化合物半导体鳍的顶面接触，并且所述含锗半导体材料部的对的顶面不与所述环形化合物半导体鳍接触。