[发明专利]一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410710282.4 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104393045A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 贾利芳;何志;刘志强;李迪;樊中朝;程哲;梁亚楠;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基增强型HEMT器件，其特征在于，该HEMT器件包括：衬底、GaN本征层、势垒层、高空穴浓度结构层、第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极和钝化保护层，其中：所述GaN本征层和势垒层依次生长在所述衬底上；所述高空穴浓度结构层覆盖在所述势垒层上表面的部分区域；所述第一金属电极位于所述势垒层上表面未被所述高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；所述第二金属电极位于所述势垒层上表面未被所述高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域；所述第三金属电极覆盖于所述高空穴浓度结构层的上表面；所述钝化保护层覆盖在所述势垒层上表面未被所述高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，所述第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，所述第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。
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