[发明专利]基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410710313.6 | 申请日： | 2014-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN104465991A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;马春燕;傅伟飞;王玲;杨曦;徐明生 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法。包括从上到下依次排布的阴极、电子传输层、有机光敏层、空穴传输层、阳极和衬底，其中空穴传输层为二硫化钨纳米膜，由二硫化钨纳米片制备而成。本发明采用的二硫化钨纳米膜，相对于目前现有空穴传输材料，制备方法简单，可溶液加工，无需高温退火，将其用于有机太阳电池中，可以取得和现有常用的空穴传输材料等效的效果，具有较好的应用前景，对推动有机太阳电池的产业化应用具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硫化 纳米 材料 有机 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池，包括从上到下依次排布的阴极（1）、电子传输层（2）、有机光敏层（3）、空穴传输层（4）、阳极（5）和衬底（6），其特征在于：所述空穴传输层（4）为二硫化钨纳米膜，由二硫化钨纳米片制备而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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