[发明专利]一种低漂移压力传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低漂移压力传感器及其制造方法，低漂移压力传感器包括衬底、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、金属引线和PAD点，所述四个压敏电阻通过金属引线构成惠斯通电桥，四个压敏电阻放置在通过制作背腔形成的薄膜区域，且四个压敏电阻均沿同一方向放置。其制作步骤为：在衬底正面利用微加工光刻、注入工艺制作浓硼区、淡硼区；在衬底正面制作引线孔、金属引线和PAD点；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；划片。本发明压力传感器能够有效减小漏电，降低压力传感器的零点漂移，制造方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工工艺简单、成本低，且成品率高可批量生产。

主权项

一种低漂移压力传感器，其特征在于：包括衬底(1)、第一压敏电阻(41)、第二压敏电阻(42)、第三压敏电阻(43)、第四压敏电阻(44)、金属引线和PAD点；衬底(1)背面开有空腔(2)，衬底(1)位于空腔(2)上方的部分形成薄膜层(3)；第一压敏电阻(41)、第二压敏电阻(42)、第三压敏电阻(43)和第四压敏电阻(44)均为一字型结构，且沿同一方向设置在薄膜层(3)上表面，第一压敏电阻(41)和第三压敏电阻(43)、第二压敏电阻(42)和第四压敏电阻(44)分别关于薄膜层(3)的中心对称；第一压敏电阻(41)、第二压敏电阻(42)、第三压敏电阻(43)和第四压敏电阻(44)均由淡硼区、引线孔和两个浓硼区组成，两个浓硼区之间通过淡硼区连接，每个浓硼区上均设计有引线孔；所述浓硼区为圆形或四角为圆弧状的方形结构，浓硼区与淡硼区交接的地方为钝角；所述第一压敏电阻(41)、第二压敏电阻(42)、第三压敏电阻(43)和第四压敏电阻(44)通过连接在引线孔之间的金属引线构成惠斯通电桥；所述第一压敏电阻(41)和第二压敏电阻(42)之间、第二压敏电阻(42)和第三压敏电阻(43)之间、第三压敏电阻(43)和第四压敏电阻(44)之间、第四压敏电阻(44)和第一压敏电阻(41)之间设置有PAD点，用于实现惠斯通电桥与外部电路的连接。